IPB017N10N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
Modelo do Produto:
IPB017N10N5ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
48025 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IPB017N10N5ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 279µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-7
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.7 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):375W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Outros nomes:IPB017N10N5ATMA1TR
SP001227028
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15600pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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