HAT2170H-EL-E
HAT2170H-EL-E
Artikelnummer:
HAT2170H-EL-E
Hersteller:
Renesas Electronics America
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
55149 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
HAT2170H-EL-E.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:LFPAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Verlustleistung (max):30W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-100, SOT-669
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4650pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):7V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 40V 45A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:45A (Ta)
Email:[email protected]

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