HAT2168H-EL-E
HAT2168H-EL-E
Artikelnummer:
HAT2168H-EL-E
Hersteller:
Renesas Electronics America
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
35458 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
HAT2168H-EL-E.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:LFPAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.9 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max):15W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-100, SOT-669
Andere Namen:HAT2168H-EL-E-ND
HAT2168H-EL-ETR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 30A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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