FGH75T65SQDT_F155
FGH75T65SQDT_F155
Artikelnummer:
FGH75T65SQDT_F155
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
650V FS4 TRENCH IGBT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
32388 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FGH75T65SQDT_F155.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 75A
Testbedingung:400V, 18.8A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:23ns/120ns
Schaltenergie:300µJ (on), 70µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247-3
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):76ns
Leistung - max:375W
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:128nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 150A 375W Through Hole TO-247-3
Strom - Collector Pulsed (Icm):300A
Strom - Kollektor (Ic) (max):150A
Email:[email protected]

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