FGH75T65SQDT_F155
FGH75T65SQDT_F155
Modelo do Produto:
FGH75T65SQDT_F155
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
650V FS4 TRENCH IGBT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
32388 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FGH75T65SQDT_F155.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 75A
Condição de teste:400V, 18.8A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:23ns/120ns
Alternando Energia:300µJ (on), 70µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):76ns
Power - Max:375W
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:128nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 150A 375W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM):300A
Atual - Collector (Ic) (Max):150A
Email:[email protected]

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