FDS3812
FDS3812
Artikelnummer:
FDS3812
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
83008 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDS3812.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:74 mOhm @ 3.4A, 10V
Leistung - max:900mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:634pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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