FDS3812
FDS3812
Part Number:
FDS3812
Producent:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Opis:
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
83008 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
FDS3812.pdf

Wprowadzenie

FDS3812 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem FDS3812, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu FDS3812 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:8-SO
Seria:PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs:74 mOhm @ 3.4A, 10V
Moc - Max:900mW
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:634pF @ 40V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:18nC @ 10V
Rodzaj FET:2 N-Channel (Dual)
Cecha FET:Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):80V
szczegółowy opis:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze