FDMS86101
Artikelnummer:
FDMS86101
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
71191 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDMS86101.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-PQFN (5x6)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:FDMS86101CT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12.4A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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