FDMS86101
Modello di prodotti:
FDMS86101
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
71191 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS86101.pdf

introduzione

FDMS86101 miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di FDMS86101, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDMS86101 via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDMS86101CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12.4A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti