ECH8308-TL-H
ECH8308-TL-H
Artikelnummer:
ECH8308-TL-H
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
43444 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
ECH8308-TL-H.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-ECH
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max):1.6W (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Andere Namen:ECH8308-TL-HOSDKR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):12V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 12V 10A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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