ECH8308-TL-H
ECH8308-TL-H
Modelo do Produto:
ECH8308-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
43444 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
ECH8308-TL-H.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-ECH
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:ECH8308-TL-HOSDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 10A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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