DMNH10H028SPSQ-13
DMNH10H028SPSQ-13
Artikelnummer:
DMNH10H028SPSQ-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
42428 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
DMNH10H028SPSQ-13.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Prüfung:2245pF @ 50V
Spannung - Durchschlag:PowerDI5060-8
VGS (th) (Max) @ Id:28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (Max):10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:-
RoHS Status:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:40A (Tc)
Polarisation:8-PowerTDFN
Andere Namen:DMNH10H028SPSQ-13DITR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:DMNH10H028SPSQ-13
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:36nC @ 10V
IGBT-Typ:±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
FET-Merkmal:N-Channel
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Drain-Source-Spannung (Vdss):-
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:100V
Kapazitätsverhältnis:1.6W (Ta)
Email:[email protected]

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