| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Deney: | 2245pF @ 50V |
| Gerilim - Arıza: | PowerDI5060-8 |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (Maks.): | 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | - |
| RoHS Durumu: | Tape & Reel (TR) |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 40A (Tc) |
| polarizasyon: | 8-PowerTDFN |
| Diğer isimler: | DMNH10H028SPSQ-13DITR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMNH10H028SPSQ-13 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 36nC @ 10V |
| IGBT Tipi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 100V |
| kapasitans Oranı: | 1.6W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
