DMG8880LK3-13
DMG8880LK3-13
Artikelnummer:
DMG8880LK3-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
94675 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
DMG8880LK3-13.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
Verlustleistung (max):1.68W (Ta)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:DMG8880LK3-13DICT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1289pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27.6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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