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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMG8880LK3-13
DMG8880LK3-13
DMG8880LK3-13
Modelo do Produto:
DMG8880LK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
94675 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DMG8880LK3-13.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.68W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:DMG8880LK3-13DICT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1289pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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