| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 10mA |
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247-3 |
| Serie: | Z-FET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 52 mOhm @ 40A, 20V |
| Verlustleistung (max): | 330W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 52 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1893pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 20V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 1200V 60A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
