2SK2507(F)
2SK2507(F)
Artikelnummer:
2SK2507(F)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
83130 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.2SK2507(F).pdf2.2SK2507(F).pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220NIS
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:46 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max):30W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):50V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 50V 25A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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