2SK2507(F)
2SK2507(F)
Modello di prodotti:
2SK2507(F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
83130 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
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introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220NIS
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:46 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione dettagliata:N-Channel 50V 25A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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