| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-252 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 32W (Tc) |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména: | IPD80R1K4P7ATMA1CT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 500V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | Super Junction |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 800V |
| Detailní popis: | N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
