| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 700µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-252 |
| Серии: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 32W (Tc) |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | IPD80R1K4P7ATMA1CT |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 250pF @ 500V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | Super Junction |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 800V |
| Подробное описание: | N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
