| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.9V @ 240µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO252-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 63W (Tc) |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména: | IPD80R1K4CEATMA1CT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 570pF @ 100V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 800V |
| Detailní popis: | N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
