| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±20V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | 8-SO |
| серия: | TrenchFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 6A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 1.7W (Ta) |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Други имена: | SI4850EY-T1-GE3CT |
| Работна температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 60V |
| Подробно описание: | N-Channel 60V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
