TC58CYG2S0HRAIG - Toshiba Memory America, Inc. ذاكرة

TC58CYG2S0HRAIG

رقم القطعة:: TC58CYG2S0HRAIG

الصانع:: Toshiba Memory America, Inc.

وصف:: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 51575 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: TC58CYG2S0HRAIG.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر TC58CYG2S0HRAIG وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ TC58CYG2S0HRAIG ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على TC58CYG2S0HRAIG عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.7 V ~ 1.95 V
تكنولوجيا:	FLASH - NAND (SLC)
تجار الأجهزة حزمة:	8-WSON (6x8)
سلسلة:	-
حزمة / كيس:	8-WDFN Exposed Pad
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C
تصاعد نوع:	Surface Mount
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
حجم الذاكرة:	4Gb (512M x 8)
واجهة الذاكرة:	SPI
تنسيق الذاكرة:	FLASH
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
تردد على مدار الساعة:	104MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لTC58CYG2S0HRAIG

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
TC58CYG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	تحقيق
TC58NVG0S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA	تحقيق
TC58NVG1S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58NVG0S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58BYG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TC58NVG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TC58CVG0S3HQAIE	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP	تحقيق
TC58CVG2S0HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
TC58BYG2S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TC58CYG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	تحقيق
TC58NVG1S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58NVG1S3ETA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58NVG1S3ETAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58CVG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V	تحقيق
TC58NVG0S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58CVG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
TC58NVG0S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TC58CYG0S3HQAIE	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP	تحقيق
TC58CVG2S0HQAIE	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP	تحقيق
TC58NVG1S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار