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TC58CYG2S0HRAIG
Modello di prodotti:
TC58CYG2S0HRAIG
fabbricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione:
4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
51575 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TC58CYG2S0HRAIG.pdf
Inchiesta

introduzione

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La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore:8-WSON (6x8)
Serie:-
Contenitore / involucro:8-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria:SPI
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
Frequenza dell'orologio:104MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per TC58CYG2S0HRAIG

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
TC58CYG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Inchiesta
TC58NVG0S3HBAI4 Image TC58NVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA Inchiesta
TC58NVG1S3HTAI0 Image TC58NVG1S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Inchiesta
TC58NVG0S3HTAI0 Image TC58NVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I Inchiesta
TC58BYG1S3HBAI6 Image TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Inchiesta
TC58NVG1S3HBAI6 Image TC58NVG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Inchiesta
TC58CVG0S3HQAIE Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP Inchiesta
TC58CVG2S0HRAIG Image TC58CVG2S0HRAIG Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON Inchiesta
TC58BYG2S0HBAI6 Image TC58BYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Inchiesta
TC58CYG1S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Inchiesta
TC58NVG1S3HTA00 Image TC58NVG1S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Inchiesta
TC58NVG1S3ETA00 Image TC58NVG1S3ETA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Inchiesta
TC58NVG1S3ETAI0 Image TC58NVG1S3ETAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Inchiesta
TC58CVG1S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V Inchiesta
TC58NVG0S3HTA00 Image TC58NVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I Inchiesta
TC58CVG0S3HRAIG Image TC58CVG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON Inchiesta
TC58NVG0S3HBAI6 Image TC58NVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA Inchiesta
TC58CYG0S3HQAIE Image TC58CYG0S3HQAIE Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP Inchiesta
TC58CVG2S0HQAIE Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP Inchiesta
TC58NVG1S3HBAI4 Image TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA Inchiesta

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