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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > TC58CYG2S0HRAIG
TC58CYG2S0HRAIG
Número de pieza:
TC58CYG2S0HRAIG
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descripción:
4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
51575 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TC58CYG2S0HRAIG.pdf
Investigación

Introducción

TC58CYG2S0HRAIG mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de TC58CYG2S0HRAIG, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para TC58CYG2S0HRAIG por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología:FLASH - NAND (SLC)
Paquete del dispositivo:8-WSON (6x8)
Serie:-
Paquete / Cubierta:8-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Tipo de memoria:Non-Volatile
Tamaño de la memoria:4Gb (512M x 8)
Interfaz de memoria:SPI
Formato de memoria:FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
Frecuencia de reloj:104MHz
Email:[email protected]

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