العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > MT47H32M16U67A3WC1
MT47H32M16U67A3WC1
رقم القطعة:
MT47H32M16U67A3WC1
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC DRAM 512M PARALLEL WAFER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
62370 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MT47H32M16U67A3WC1.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT47H32M16U67A3WC1 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ MT47H32M16U67A3WC1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT47H32M16U67A3WC1 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:-
الجهد - توريد:1.7 V ~ 1.9 V
تكنولوجيا:SDRAM - DDR2
سلسلة:-
درجة حرارة التشغيل:-
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:512Mb (32M x 16)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT47H32M16U67A3WC1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT47H32M16NF-25E AUT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ تحقيق
MT47H512M4EB-3:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-5E:B TR Image MT47H32M8BP-5E:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-5E:B Image MT47H32M8BP-5E:B Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-3:B TR Image MT47H32M8BP-3:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E IT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E AAT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E AIT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-37E:B TR Image MT47H32M8BP-37E:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H512M4EB-25E:C TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H512M4EB-25E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H512M4EB-187E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M16HW-25E:G Image MT47H32M16HW-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H512M4THN-25E:H Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E IT:H TR Image MT47H32M16NF-25E IT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-187E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-37V:B Image MT47H32M8BP-37V:B Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق

Latest الأخبار