العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > MT47H32M16NF-25E AUT:H
MT47H32M16NF-25E AUT:H
رقم القطعة:
MT47H32M16NF-25E AUT:H
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
كمية:
64108 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MT47H32M16NF-25E AUT:H.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT47H32M16NF-25E AUT:H وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ MT47H32M16NF-25E AUT:H ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT47H32M16NF-25E AUT:H عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:15ns
الجهد - توريد:1.7 V ~ 1.9 V
تكنولوجيا:SDRAM - DDR2
سلسلة:-
اسماء اخرى:MT47H32M16NF-25E AUT:H-ND
MT47H32M16NF-25EAUT:H
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 125°C (TC)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:512Mb (32M x 16)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:DRAM
وصف تفصيلي:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps
تردد على مدار الساعة:400MHz
وقت الدخول:400ps
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT47H32M16NF-25E AUT:H

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT47H32M8BP-5E:B TR Image MT47H32M8BP-5E:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E AAT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR Image MT47H32M16HW-25E AAT:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-187E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16HW-25E:G Image MT47H32M16HW-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16HW-25E IT:G Image MT47H32M16HW-25E IT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16HR-3:F Image MT47H32M16HR-3:F Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-37V:B Image MT47H32M8BP-37V:B Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-3:B TR Image MT47H32M8BP-3:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E AIT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16HR-3:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E IT:H TR Image MT47H32M16NF-25E IT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16NF-25E IT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT47H32M16U67A3WC1 Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL WAFER تحقيق
MT47H32M8BP-37E:B TR Image MT47H32M8BP-37E:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M8BP-5E:B Image MT47H32M8BP-5E:B Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT47H32M16HR-3:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق

Latest الأخبار