Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT47H32M16U67A3WC1
MT47H32M16U67A3WC1
Modelo do Produto:
MT47H32M16U67A3WC1
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 512M PARALLEL WAFER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
62370 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MT47H32M16U67A3WC1.pdf
inquérito

Introdução

MT47H32M16U67A3WC1 melhor preço e entrega rápida.
BOSER Technology é o distribuidor para MT47H32M16U67A3WC1, temos as ações para o transporte imediato e também está disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MT47H32M16U67A3WC1 por e-mail, nós lhe daremos um melhor preço de acordo com o seu plano.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:SDRAM - DDR2
Série:-
Temperatura de operação:-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:512Mb (32M x 16)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para MT47H32M16U67A3WC1

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
MT47H32M16NF-25E AUT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ inquérito
MT47H512M4EB-3:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H32M8BP-5E:B TR Image MT47H32M8BP-5E:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H32M8BP-5E:B Image MT47H32M8BP-5E:B Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H32M8BP-3:B TR Image MT47H32M8BP-3:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H32M16NF-25E IT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M16NF-25E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M16NF-25E AAT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M16NF-25E AIT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M8BP-37E:B TR Image MT47H32M8BP-37E:B TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H512M4EB-25E:C TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H512M4EB-25E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H512M4EB-187E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA inquérito
MT47H32M16HW-25E:G Image MT47H32M16HW-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H512M4THN-25E:H Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA inquérito
MT47H32M16NF-25E IT:H TR Image MT47H32M16NF-25E IT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M16NF-187E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA inquérito
MT47H32M8BP-37V:B Image MT47H32M8BP-37V:B Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA inquérito

Latest Notícias