| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 60V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 300mV @ 50mA, 1A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | MT-2-A1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | 3-SIP |
| اسماء اخرى: | 2SD2177A-(TA) 2SD2177A-TA 2SD2177A0ATB 2SD2177ATB 2SD2177ATB-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 110MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 110MHz 1W Through Hole MT-2-A1 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 120 @ 200mA, 2V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 2A |
| رقم جزء القاعدة: | 2SD2177 |
| Email: | [email protected] |
