| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
| Loại bóng bán dẫn: | NPN |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | MT-2-A1 |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Bao bì: | Tape & Box (TB) |
| Gói / Case: | 3-SIP |
| Vài cái tên khác: | 2SD2177A-(TA) 2SD2177A-TA 2SD2177A0ATB 2SD2177ATB 2SD2177ATB-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số - Transition: | 110MHz |
| miêu tả cụ thể: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 110MHz 1W Through Hole MT-2-A1 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 200mA, 2V |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Số phần cơ sở: | 2SD2177 |
| Email: | [email protected] |
