| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 60V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MT-2-A1 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | 3-SIP |
| Altri nomi: | 2SD2177A-(TA) 2SD2177A-TA 2SD2177A0ATB 2SD2177ATB 2SD2177ATB-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 110MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 110MHz 1W Through Hole MT-2-A1 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 200mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 2A |
| Numero di parte base: | 2SD2177 |
| Email: | [email protected] |
