TH58NYG3S0HBAI6
TH58NYG3S0HBAI6
Artikelnummer:
TH58NYG3S0HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung:
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
70517 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TH58NYG3S0HBAI6.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:25ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse:67-VFBGA (6.5x8)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:67-VFBGA
Andere Namen:TH58NYG3S0HBAI6JDH
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Zugriffszeit:25ns
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