TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6
Artikelnummer:
TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
46695 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TH58BYG2S3HBAI6.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:25ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse:67-VFBGA (6.5x8)
Serie:Benand™
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:67-VFBGA
Andere Namen:TH58BYG2S3HBAI6JDH
TH58BYG2S3HBAI6YCL
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Zugriffszeit:25ns
Email:[email protected]

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