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TH58BYG3S0HBAI6
Artikelnummer:
TH58BYG3S0HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung:
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
46639 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TH58BYG3S0HBAI6.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für TH58BYG3S0HBAI6, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für TH58BYG3S0HBAI6 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:25ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse:67-VFBGA (6.5x8)
Serie:Benand™
Verpackung / Gehäuse:67-VFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle:-
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 67-VFBGA (6.5x8)
Email:[email protected]

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