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TH58NYG2S3HBAI4
Artikelnummer:
TH58NYG2S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
71970 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TH58NYG2S3HBAI4.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:25ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse:63-TFBGA (9x11)
Serie:-
Verpackung / Gehäuse:63-VFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:-
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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