| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Tối đa): | - |
| Công nghệ: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-257 |
| Loạt: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 105 mOhm @ 15A |
| Điện cực phân tán (Max): | 172W (Tc) |
| Bao bì: | Bulk |
| Gói / Case: | TO-257-3 |
| Vài cái tên khác: | 1242-1150 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 1534pF @ 35V |
| Loại FET: | - |
| FET Feature: | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 650V |
| miêu tả cụ thể: | 650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) (155°C) |
| Email: | [email protected] |
