矽是目前最廣泛使用的製造芯片和半導體器件的原料，超過90％的半導體產品由矽製成。然而，由材料本身的特性有限，矽基功率器件逐漸難以滿足新興應用中設備的高功率和高頻性能的要求，例如5G基站，新能源車輛和高速軌。

碳化矽是第三代半導體材料。作為寬帶隙半導體材料，與硅的主要區別是禁用帶寬。這允許具有相同性能的碳化矽器件的尺寸減小到矽的十分之一。損失已減少三個季度，它已成為用於製備高壓和高頻器件的新型基板材料。碳化矽器材具有廣泛的應用領域和市場空間，預計將於2025年增長到25.62億美元，年復合增長率約為30％。

碳化矽器件的重要性不僅在於它們的優異性能，而且還在為行業帶來全方位的動力。預計碳化矽將導致中國的半導體進入黃金時代：


1.在追趕第三代半導體的方式上，中國公司將不如傳統的矽田都妨礙阻礙。在傳統矽基半導體領域，技術進步顯著放緩。發達國家依靠數十年的研發和佈局，積累了足夠的專利，並控制上游關鍵材料和設備的技術和供應鏈，佔據了對中國半導體制裁的倡議，並推出了技術戰爭。隨著工業配套設施的整體落後，中國在矽基半導體領域的替代過程緩慢。

在第三代半導體產業中，中國企業與海外領導人之間的差距得到了大幅減少，中國公司正在迎來追趕和發展的良機。


2.產業鏈的支持整合更為充分，提高了中國半導體公司過去沒有的發展機會。國內半導體製造商難以追趕過去的另一個原因在於還有足夠的試驗和在線機會，並且很難使用客戶反饋和問題，以積極激勵研發。目前，在未來將集中在新能源車輛，光伏和高速鐵路等第三代半導體器件的主要應用領域，將集中在中國。中國公司還與汽車公司和家電公司合作，支持和產業合作。設備逐步推出終端產品供應鏈將為國內企業帶來更多的試驗和改進機會。

現在，隨著中國企業技術繼續發展，成本繼續下跌，中國的第三代半導體材料預計將成為達到國內替代的第一個。