Le silicium est actuellement la matière première la plus largement utilisée pour la fabrication de copeaux et de dispositifs à semi-conducteurs, et plus de 90% des produits semi-conducteurs sont en silicium. Cependant, limitées par les caractéristiques du matériau lui-même, les dispositifs électriques à base de silicium sont devenus difficiles à satisfaire aux exigences relatives aux performances élevées de puissance et à haute fréquence des dispositifs dans des applications émergentes telles que les stations de base 5G, les nouveaux véhicules énergétiques et la haute vitesse. rail.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de troisième génération. En tant que matériau semi-conducteur à bande large, la principale différence de silicium est la largeur de bande interdite. Cela permet de réduire la taille des dispositifs de carbure de silicium avec la même performance à un dixième de celui du silicium. La perte a été réduite de trois quarts, et elle est devenue un nouveau matériau de substrat pour la préparation de dispositifs haute tension et haute fréquence. Les dispositifs en carbure de silicium ont de larges domaines d'application et de l'espace de marché et devraient atteindre 2,562 milliards de dollars US en 2025, avec un taux de croissance annuel d'environ 30%.

La signification des dispositifs en carbure de silicium repose non seulement dans leur excellente performance, mais également dans la mise en place d'une gamme complète d'impulsions à l'industrie. Le carbure de silicium devrait diriger les semi-conducteurs de la Chine dans l'âge d'or:


1. Sur la manière de rattraper les semi-conducteurs de troisième génération, les entreprises chinoises seront moins gênées que dans les domaines traditionnels à base de silicium. Dans le domaine des semi-conducteurs traditionnels à base de silicium, les progrès technologiques ont considérablement ralenti beaucoup. Les pays développés s'appuient sur des décennies de recherche et de développement et de mise en page, accumulent suffisamment de brevets et contrôler la technologie et la chaîne d'approvisionnement des matériaux et équipements clés en amont, occupant l'initiative visant à imposer des sanctions aux semi-conducteurs chinois et à lancer une guerre technologique. Avec la rétrocaction globale des installations de soutien industriels, le processus de remplacement de la Chine dans le domaine des semi-conducteurs à base de silicium est lent.

Dans l'industrie semi-conductrice de troisième génération, l'écart entre les entreprises chinoises et les dirigeants d'outre-mer a été considérablement réduit et les entreprises chinoises utilisent une bonne occasion de rattraper et de développer.


2. L'intégration soutenante de la chaîne industrielle est plus adéquate, apportant des opportunités de développement que les entreprises semi-conductrices chinois n'avaient pas dans le passé. Une autre raison de la difficulté des fabricants de semi-conducteurs nationaux de se rattraper dans le passé est qu'il n'ya pas assez d'opportunités d'essais et en ligne, et il est difficile d'utiliser les commentaires des clients et des questions à motiver positivement la R & D. À l'heure actuelle, les principaux domaines d'application des dispositifs à semi-conducteurs de troisième génération, tels que de nouveaux véhicules d'énergie, des photovoltaïques et des voies ferrées à grande vitesse, seront concentrées en Chine à l'avenir. Les entreprises chinoises ont également coopéré avec des sociétés automobiles et des compagnies d'électroménager à l'appui et à la coopération industrielle. Les dispositifs sont progressivement l'introduction de la chaîne d'approvisionnement des produits terminaux apportera plus d'opportunités d'essai et d'amélioration des entreprises nationales.

À mesure que la technologie des entreprises chinoises continue de se développer et les coûts continuent de tomber, les matériaux semi-conducteurs de la troisième génération de la Chine devraient être les premiers à atteindre la substitution nationale.