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SQJ431EP-T1_GE3
- 型號:
- SQJ431EP-T1_GE3
- 描述:
- MOSFET P-CHAN 200V SO8L
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 50402 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
簡單介紹
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產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| 電壓 - 測試: | 4355pF @ 25V |
| 電壓 - 擊穿: | PowerPAK® SO-8 |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs（最大）: | 6V, 10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 12A (Tc) |
| 極化: | PowerPAK® SO-8 |
| 其他名稱: | SQJ431EP-T1_GE3TR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
| 製造商零件編號: | SQJ431EP-T1_GE3 |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 160nC @ 10V |
| IGBT類型: | ±20V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 3.5V @ 250µA |
| FET特點: | P-Channel |
| 展開說明: | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | - |
| 描述: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 200V |
| 電容比: | 83W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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