SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3
型號:
SIHP30N60E-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
86790 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SIHP30N60E-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 測試:2600pF @ 100V
VGS(TH)(最大)@標識:125 mOhm @ 15A, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
系列:E
RoHS狀態:Digi-Reel®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:29A (Tc)
極化:TO-220-3
其他名稱:SIHP30N60E-GE3DKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:21 Weeks
製造商零件編號:SIHP30N60E-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:130nC @ 10V
IGBT類型:±30V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:4V @ 250µA
FET特點:N-Channel
展開說明:N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
漏極至源極電壓(Vdss):-
描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
電流 - 25°C連續排水(Id):600V
電容比:250W (Tc)
Email:[email protected]

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