SIHG33N65E-GE3最優惠的價格和快速交貨。
BOSER Technology 是SIHG33N65E-GE3的經銷商，我們有立即發貨的股票，也可供長期供應。請通過電子郵件將您的SIHG33N65E-GE3購買計劃發送給我們，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。我們的電子郵箱：[email protected]
SIHG33N65E-GE3
- 型號:
- SIHG33N65E-GE3
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 65146 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
簡單介紹
我們的電子郵箱：[email protected]
產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| 電壓 - 測試: | 4040pF @ 100V |
| 電壓 - 擊穿: | TO-247AC |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs（最大）: | 10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列: | - |
| RoHS狀態: | Digi-Reel® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 32.4A (Tc) |
| 極化: | TO-247-3 |
| 其他名稱: | SIHG33N65E-GE3DKR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 20 Weeks |
| 製造商零件編號: | SIHG33N65E-GE3 |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 173nC @ 10V |
| IGBT類型: | ±30V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET特點: | N-Channel |
| 展開說明: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | - |
| 描述: | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 650V |
| 電容比: | 313W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SIHG33N65E-GE3的相似型號
最新資訊
- Vishay推出基于VCSEL的新款高性能反射式光传感器
- 為什麼一個小充電IC Stump Apple，華為，三星？
- 電子材料對半導體行業的重要性
- 碳基半導體如何突破？
- 中國在全球電子供應鏈中的重要作用
- 500億元！阿里巴巴收購Ziguang股份的曝光
- 成功開發了國內高壓和大容量壓接IGBT芯片和器件
- 國內半導體IP迎來了轉折點，分析了Singdong Technology的優勢和機遇
- 華為哈勃投資嚴重：密切關注半導體行業
- 包裝和測試，MOSFET飆升20％！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新的Fabs的浪潮重新出現，半導體設備的繁榮繼續