SIHD5N50D-GE3最優惠的價格和快速交貨。
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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
電壓 - 測試: | 325pF @ 100V |
電壓 - 擊穿: | TO-252AA |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
系列: | - |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 5.3A (Tc) |
極化: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50DGE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SIHD5N50D-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 20nC @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 5V @ 250µA |
FET特點: | N-Channel |
展開說明: | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
描述: | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 500V |
電容比: | 104W (Tc) |
Email: | [email protected] |