SI3460BDV-T1-GE3最優惠的價格和快速交貨。
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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
電壓 - 測試: | 860pF @ 10V |
電壓 - 擊穿: | 6-TSOP |
VGS(TH)(最大)@標識: | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
系列: | TrenchFET® |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 8A (Tc) |
極化: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 15 Weeks |
製造商零件編號: | SI3460BDV-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 24nC @ 8V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 1V @ 250µA |
FET特點: | N-Channel |
展開說明: | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
描述: | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 20V |
電容比: | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
Email: | [email protected] |