RN2111ACT(TPL3)
RN2111ACT(TPL3)
型號:
RN2111ACT(TPL3)
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
79740 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
RN2111ACT(TPL3).pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):80mA
電壓 - 擊穿:CST3
Vce飽和(最大)@ IB,IC:50V
系列:-
RoHS狀態:Tape & Reel (TR)
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):10k
電阻 - 基(R 1)(歐姆):-
功率 - 最大:100mW
極化:SC-101, SOT-883
其他名稱:RN2111ACT(TPL3)TR
噪聲係數(dB典型值@頻率):-
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:RN2111ACT(TPL3)
頻率 - 轉換:120 @ 1mA, 5V
展開說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
描述:TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:100nA (ICBO)
電流 - 集電極截止(最大):150mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極(Ic)(最大):PNP - Pre-Biased
Email:[email protected]

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