MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
型號:
MUN5113DW1T1G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
23658 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
MUN5113DW1T1G.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):100mA
電壓 - 擊穿:SC-88/SC70-6/SOT-363
Vce飽和(最大)@ IB,IC:50V
系列:-
RoHS狀態:Tape & Reel (TR)
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):47k
電阻 - 基(R 1)(歐姆):-
功率 - 最大:250mW
極化:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱:MUN5113DW1T1G-ND
MUN5113DW1T1GOSTR
噪聲係數(dB典型值@頻率):47k
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:10 Weeks
製造商零件編號:MUN5113DW1T1G
頻率 - 轉換:80 @ 5mA, 10V
展開說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:500nA
電流 - 集電極截止(最大):250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極(Ic)(最大):2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Email:[email protected]

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