| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 850mV @ 450µA |
| Vgs (Maks.): | ±8V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-TSSOP |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.05W (Ta) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Diğer isimler: | SI6467BDQ-T1-GE3CT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 70nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 1.8V, 4.5V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V |
| Detaylı Açıklama: | P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
