| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 850mV @ 450µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.05W (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi: | SI6467BDQ-T1-GE3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
