SI6913DQ-T1-E3
SI6913DQ-T1-E3
Modello di prodotti:
SI6913DQ-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59406 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI6913DQ-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 400µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Potenza - Max:830mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:SI6913DQ-T1-E3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.9A
Numero di parte base:SI6913
Email:[email protected]

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