| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.25V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | DIRECTFET™ ST |
| Dizi: | HEXFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | DirectFET™ Isometric ST |
| Diğer isimler: | IRF6614TR1PBF-ND IRF6614TR1PBFTR SP001524574 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2560pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 29nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 40V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
