| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Deney: | 14400pF @ 37.5V |
| Gerilim - Arıza: | - |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| RoHS Durumu: | Cut Tape (CT) |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 120A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-220-3 |
| Diğer isimler: | IPP023NE7N3 GCT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IPP023NE7N3 G |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 206nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 3.8V @ 273µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 75V |
| kapasitans Oranı: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
